MOSFET onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, ECH de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.3mm
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 1.037,89
€ 0,346 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Longitud
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Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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