MOSFET onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 671-0328Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BSS84
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

130 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,9 nC a 5 V

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Altura

0.93mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 3,57

$ 0,357 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET onsemi BSS84, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 3,57
20$ 7,14
30$ 10,71
40$ 14,28
50$ 17,85
60$ 21,42
70$ 24,99
80$ 28,56
90$ 32,13
100$ 30,78
110$ 33,86
120$ 36,94
130$ 40,02
140$ 43,10
150$ 46,17

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100$ 30,78
110$ 33,86
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130$ 40,02
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 90$ 0,357$ 3,57
100 - 240$ 0,308$ 3,08
250 - 490$ 0,266$ 2,66
500 - 990$ 0,234$ 2,34
1000+$ 0,213$ 2,13

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P

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50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,9 nC a 5 V

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Longitud

2.92mm

Altura

0.93mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
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Aplicaciones:

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