Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 69,46
€ 0,139 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
€ 69,46
€ 0,139 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,139 | € 13,89 |
1000+ | € 0,121 | € 12,10 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.