Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
140 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
160 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 18,54
€ 0,093 Each (In a Pack of 200) (Sin IVA)
Estándar
200
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Estándar
200
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,093 | € 18,54 |
1000+ | € 0,08 | € 15,96 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
140 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
160 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.