MOSFET Nexperia PMV30UN2R, VDSS 20 V, ID 5,4 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Series
PMV30UN2
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
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€ 354,15
€ 0,118 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,118 | € 354,15 |
| 6000 - 12000 | € 0,113 | € 340,12 |
| 15000 - 27000 | € 0,11 | € 329,60 |
| 30000 - 72000 | € 0,105 | € 315,58 |
| 75000+ | € 0,103 | € 308,56 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Series
PMV30UN2
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
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