MOSFET Nexperia PMV30UN2R, VDSS 20 V, ID 5,4 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Series
PMV30UN2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
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€ 355,51
€ 0,119 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,119 | € 355,51 |
| 6000 - 12000 | € 0,114 | € 341,43 |
| 15000 - 27000 | € 0,11 | € 330,87 |
| 30000 - 72000 | € 0,106 | € 316,79 |
| 75000+ | € 0,103 | € 309,75 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-236
Series
PMV30UN2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
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