Transistor, PBSS8110X,135, NPN 1 A 100 V SOT-89, 3 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
150
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
4.6 x 2.6 x 1.6mm
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 49,92
€ 0,20 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
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Empaque de Producción (Rollo)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 600 | € 0,20 | € 4,99 |
| 625 - 2475 | € 0,19 | € 4,75 |
| 2500+ | € 0,16 | € 4,01 |
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Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
150
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
4.6 x 2.6 x 1.6mm
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
Transistores NPN de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
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