MOSFET Nexperia BSS138BKW,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 14,83
$ 0,297 Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 550 | $ 0,297 | $ 14,83 |
| 600 - 1450 | $ 0,082 | $ 4,08 |
| 1500+ | $ 0,067 | $ 3,34 |
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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1
Ancho
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Material del transistor
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Altura
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