MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
260 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Profundidad
1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 10,70
€ 0,053 Each (In a Pack of 200) (Sin IVA)
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
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Material del transistor
Si
Profundidad
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