MOSFET Microchip LND150N3-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 kΩ
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
4.19mm
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
MOSFET Transistors, Microchip
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€ 11,10
€ 0,555 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,555 | € 11,10 |
| 40 - 80 | € 0,526 | € 10,51 |
| 100+ | € 0,47 | € 9,41 |
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500 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 kΩ
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
4.19mm
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
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