MOSFET Microchip 2N7008-G, VDSS 60 V, ID 230 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.06mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.08mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N 2N7008
El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
MOSFET Transistors, Microchip
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€ 13,38
€ 0,535 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,535 | € 13,38 |
| 100+ | € 0,486 | € 12,16 |
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Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.06mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.08mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N 2N7008
El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
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