MOSFET IXYS MMIX1F520N075T2, VDSS 75 V, ID 500 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
500 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
24
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
25.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
545 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Profundidad
23.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
Altura
5.7mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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$ 401,16
$ 20,058 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)
20
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Mejora
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Profundidad
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
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