MOSFET IXYS IXFX80N60P3, VDSS 600 V, ID 80 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
PLUS247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 kW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.21mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 403,58
€ 13,453 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Modo de Canal
Mejora
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Profundidad
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
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