MOSFET IXYS IXFP10N80P, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 5,62
€ 5,62 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,62 |
| 5 - 19 | € 5,24 |
| 20 - 49 | € 4,91 |
| 50 - 99 | € 4,24 |
| 100+ | € 4,06 |
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Tipo de Encapsulado
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Modo de Canal
Mejora
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Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
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Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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