MOSFET IXYS IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
680000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
240 nC a 10 V
Ancho
25.42mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.23mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 30,25
€ 30,25 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 30,25 |
| 5+ | € 27,20 |
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Disipación de Potencia Máxima
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Si
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Longitud
38.23mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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