MOSFET IXYS IXFH88N30P, VDSS 300 V, ID 88 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 384,87
€ 12,829 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 12,829 | € 384,87 |
| 150 - 270 | € 12,187 | € 365,61 |
| 300+ | € 11,571 | € 347,13 |
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N
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HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
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MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
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