MOSFET IXYS IXFH26N50P, VDSS 500 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 194-530Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH26N50PDistrelec Article No.: 17131366
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

26 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

230 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

21.46mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

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1

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1€ 8,35
2€ 16,71
3€ 25,06
4€ 33,42
5€ 40,89
6€ 49,07
7€ 57,25
8€ 65,42
9€ 73,60
10€ 79,32
11€ 87,25
12€ 95,18
13€ 103,11
14€ 111,04
15€ 117,74

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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5 - 9€ 8,18
10 - 14€ 7,93
15 - 19€ 7,85
20+€ 7,76

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