Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C