MOSFET Infineon IRFS3307ZTRLPBF, VDSS 75 V, ID 128 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
79 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.65mm
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 10,64
€ 2,127 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,127 | € 10,64 |
| 25 - 45 | € 2,023 | € 10,11 |
| 50 - 120 | € 1,935 | € 9,67 |
| 125 - 245 | € 1,809 | € 9,04 |
| 250+ | € 1,702 | € 8,51 |
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128 A
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Profundidad
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Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
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