MOSFET Infineon IRFP2907ZPBF, VDSS 80 V, ID 170 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Altura
20.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 66,29
€ 3,315 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Empaque de Producción (Tubo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 3,315 | € 6,63 |
| 50 - 98 | € 3,115 | € 6,23 |
| 100 - 198 | € 2,875 | € 5,75 |
| 200+ | € 2,681 | € 5,36 |
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N
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170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Altura
20.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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