MOSFET Infineon IRF7507TRPBF, VDSS 20 V, ID 1,7 A, 2,4 A, MSOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 301-186Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7507TRPBFDistrelec Article No.: 30284021
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.7 A, 2.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

Mini SO

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 mΩ, 270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Largo

3mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,3 nC a 4,5 V, 5,4 nC a 4,5 V

Profundidad

3mm

Material del transistor

Si

Altura

0.86mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

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Disponible en múltiplos de 1
1€ 0,65
2€ 1,29
3€ 1,94
4€ 2,58
5€ 3,23
6€ 3,87
7€ 4,52
8€ 5,16
9€ 5,81
10€ 6,45
11€ 7,10
12€ 7,74
13€ 8,39
14€ 9,03
15€ 9,68

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20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

Mini SO

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 mΩ, 270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Largo

3mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,3 nC a 4,5 V, 5,4 nC a 4,5 V

Profundidad

3mm

Material del transistor

Si

Altura

0.86mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

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