Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
94 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mO
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.69mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Longitud
10.54mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
94 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mO
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.69mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Longitud
10.54mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.