MOSFET Infineon IPW65R190C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
72000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
21.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,684 Each (In a Pack of 3) (Sin IVA)
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
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