MOSFET Infineon IPP126N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 58 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
15.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
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