Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 6,43
€ 3,215 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 6,43
€ 3,215 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,215 | € 6,43 |
10 - 98 | € 2,734 | € 5,47 |
100 - 498 | € 2,358 | € 4,72 |
500 - 998 | € 2,00 | € 4,00 |
1000+ | € 1,848 | € 3,70 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.