MOSFET Infineon BSZ110N06NS3GATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 165-6576Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSZ110N06NS3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TSDSON

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

3.4mm

Longitud

3.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 1.331,70

€ 0,266 Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)

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Mejora

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4V

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2V

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Si

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1

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3.4mm

Longitud

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Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

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Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
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RDS(on) de muy baja resistencia
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