MOSFET Infineon BSS214NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,8 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 29,63
€ 0,119 Each (On a Reel of 250) (Sin IVA)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 750 | € 0,119 | € 29,63 |
| 1000 - 2750 | € 0,093 | € 23,17 |
| 3000 - 5750 | € 0,079 | € 19,65 |
| 6000+ | € 0,075 | € 18,77 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,8 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
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