MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
3.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Ancho
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Si
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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