Transistor MOSFET Infineon BSP171PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 283,94
€ 0,284 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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1000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,284 | € 283,94 |
| 2000 - 2000 | € 0,27 | € 269,86 |
| 3000+ | € 0,252 | € 252,26 |
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1.9 A
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Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
3.5mm
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1
Longitud
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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