MOSFET Infineon BSC097N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 46 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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14.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
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MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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