MOSFET Infineon BSC077N12NS3GATMA1, VDSS 120 V, ID 98 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
98 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,21
€ 2,21 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
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