Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQP16N25C, VDSS 250 V, ID 15.6 A, TO-220AB de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.1mm
Ancho
4.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.1mm
Ancho
4.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm