Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQP13N10L, VDSS 100 V, ID 12.8 A, TO-220AB de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

65 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Largo

10.1mm

Anchura

4.7mm

Altura

9.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C