Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQP12N60C, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
650 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
225000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.1mm
Profundidad
4.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.4mm
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Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
650 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
225000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
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