Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,10
€ 0,324 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 8,10
€ 0,324 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 125 | € 0,324 | € 8,10 |
150 - 725 | € 0,197 | € 4,93 |
750 - 1475 | € 0,192 | € 4,81 |
1500+ | € 0,188 | € 4,69 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto