Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DMT
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,80
€ 0,58 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 5,80
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Empaque de Producción (Rollo)
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DMT
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto