Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 777,31
€ 0,311 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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2500
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
DI5060
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm
Datos del producto