MOSFET DiodesZetex DMP2006UFG-7, VDSS 20 V, ID 17,5 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 921-1139Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMP2006UFG-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerDI3333-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

41 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Profundidad

3.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.8mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 11,17

€ 0,558 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 11,17
40€ 22,34
60€ 33,51
80€ 44,68
100€ 38,95
120€ 46,74
140€ 54,53
160€ 62,33
180€ 70,12
200€ 77,91
220€ 85,70
240€ 93,49
260€ 101,28
280€ 109,07
300€ 116,86

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220€ 85,70
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 80€ 0,558€ 11,17
100 - 480€ 0,39€ 7,79
500 - 980€ 0,35€ 6,99
1000 - 2480€ 0,312€ 6,24
2500+€ 0,28€ 5,61

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P

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Tipo de Encapsulado

PowerDI3333-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

41 W

Configuración de transistor

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±10 V

Profundidad

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Si

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1

Longitud

3.35mm

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