MOSFET DiodesZetex DMN10H220L-7, VDSS 100 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 9,27
€ 0,309 Each (In a Pack of 30) (Sin IVA)
Estándar
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,309 | € 9,27 |
| 150 - 420 | € 0,272 | € 8,16 |
| 450 - 870 | € 0,264 | € 7,92 |
| 900 - 2970 | € 0,258 | € 7,74 |
| 3000+ | € 0,251 | € 7,52 |
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N
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1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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