MOSFET DiodesZetex DMG1013T-7, VDSS 20 V, ID 460 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
460 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Ancho
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 21,82
€ 0,036 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
600
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Empaque de Producción (Rollo)
600
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 600 - 1400 | € 0,036 | € 3,64 |
| 1500+ | € 0,031 | € 3,05 |
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P
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Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Ancho
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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