MOSFET Vishay SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Largo
5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 70,21
€ 0,702 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 70,21
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,702 | € 14,04 |
| 200 - 480 | € 0,596 | € 11,91 |
| 500 - 980 | € 0,553 | € 11,06 |
| 1000+ | € 0,529 | € 10,58 |
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Largo
5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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