Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34,8 nC a -8 V
Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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£ 0,283
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 225 | £ 0,283 | £ 7,08 |
250 - 600 | £ 0,266 | £ 6,65 |
625 - 1225 | £ 0,241 | £ 6,02 |
1250 - 2475 | £ 0,226 | £ 5,65 |
2500+ | £ 0,212 | £ 5,30 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34,8 nC a -8 V
Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto