MOSFET Vishay IRFR110PBF, VDSS 100 V, ID 4,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,87
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,87 |
| 10 - 49 | € 0,78 |
| 50 - 99 | € 0,74 |
| 100 - 249 | € 0,70 |
| 250+ | € 0,64 |
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Largo
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Material del transistor
Si
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