Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto