MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6968DCA RVG, VDSS 20 V, ID 6.5 A, TSSOP de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Código de producto RS: 398-449Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM6968DCA RVG
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1040 mW

Transistor Configuration

Drenaje común

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.5mm

Profundidad

3.1mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.05mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N doble, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 0,361

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6968DCA RVG, VDSS 20 V, ID 6.5 A, TSSOP de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50€ 18,07
100€ 36,14
150€ 54,21
200€ 72,28
250€ 90,34
300€ 108,41
350€ 126,48
400€ 144,55
450€ 162,62
500€ 180,69
550€ 198,76
600€ 216,83
650€ 234,89
700€ 252,96
750€ 271,03

€ 0,361

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6968DCA RVG, VDSS 20 V, ID 6.5 A, TSSOP de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50€ 18,07
100€ 36,14
150€ 54,21
200€ 72,28
250€ 90,34
300€ 108,41
350€ 126,48
400€ 144,55
450€ 162,62
500€ 180,69
550€ 198,76
600€ 216,83
650€ 234,89
700€ 252,96
750€ 271,03

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1040 mW

Transistor Configuration

Drenaje común

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.5mm

Profundidad

3.1mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.05mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N doble, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more