MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG, VDSS 60 V, ID 23 A, SOP de 8 pines, config. Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Altura
1.55mm
Ancho
3.9mm
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Longitud
4.85mm
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Tipo de Encapsulado
SOP
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Brand
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Altura
1.55mm
Ancho
3.9mm
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Longitud
4.85mm
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Tipo de Encapsulado
SOP
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Brand
Taiwan Semiconductor