MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z, VDSS 1000 V, ID 3.5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 18,68
€ 4,67 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
4
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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