MOSFET STMicroelectronics STP3N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,61
€ 1,723 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 8,61
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Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,723 | € 8,61 |
| 25 - 45 | € 1,633 | € 8,17 |
| 50 - 120 | € 1,473 | € 7,36 |
| 125 - 245 | € 1,326 | € 6,63 |
| 250+ | € 1,258 | € 6,29 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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