MOSFET STMicroelectronics STP13NK60Z, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,08
€ 1,417 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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