Transistor MOSFET STMicroelectronics STL26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
8.1mm
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
0.9mm
País de Origen
China
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€ 5.776,25
€ 1,925 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Longitud
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24 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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