MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 57,21
€ 2,289 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
€ 57,21
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
25
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,289 | € 11,44 |
| 50 - 120 | € 2,059 | € 10,30 |
| 125 - 245 | € 1,853 | € 9,27 |
| 250+ | € 1,759 | € 8,80 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
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